温度冲击试验箱应用于IGBT芯片行业的必要性

       许多人在听到环境试验箱这个词，可能会觉得离自己很遥远，其实不管是天上飞的飞机、火箭、卫星，还是地上跑的火车、汽车、高铁，海里的游轮和潜艇。都是需要比如温度冲击试验箱来进行测试，尤其是近几年非常火热的新能源汽车行业，作为其中的核心部件 IGBT 芯片，更是必须经过无数次的可靠性试验的测试，才能保证产品安全高效的投放到市场上使用，今天勤卓小编就来为您介绍一下用温度冲击试验箱给 IGBT 做测试的必要性。

      研发人员在初期为了提高此类微电子元器件的性能（特别是可靠性）,通常会将芯片封装在真空或者是保护气体中，与外界氧气、湿气、灰尘等隔绝。

      通常的工业级 IGBT 用温度冲击试验箱做可靠性试验主要包含但不限于下列项目：

1.TST （温度冲击）试验： TST 试验主要验证 IGBT 在被动温度变化的情况下对机械应力的抵抗能力。 TST 试验考核焦点是 IGBT 模块的封装、基板与 DCB 间的连接。

         本次试验的原理是：利用物体中所含物质的在不同温度情况下因热胀冷缩所产生的应力考验产品的质量，此实验本身是一个破坏性实验. 温度范围 -45度---+105度 每隔半小时一个循环。

 TC （温度循环）试验： TC 试验用于模拟外界温度变化对 IGBT 的影响，验证器件或模块的整体结构和材料。尤其是 IGBT 功率模块由不同的材料组成一个系统，当受热和冷却时，不同材料的热朦胀系数差异大，两种界面在受热或冷却过程中所受的机械应力就越大。 TC 試验的焦点是 IGBT 芯片与 DCB 、 DCB 与基板之间的连接。